一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法

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专利状态

一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法

有效

专利申请进度

申请

2011-11-08

申请公布

2013-05-08

授权

2016-04-13

预估到期

2031-11-08

专利基础信息

申请号	CN201110350607.9	申请日	2011-11-08
申请公布号	CN103094410A	申请公布日	2013-05-08
授权公布号	CN103094410B	授权公告日	2016-04-13
分类号	H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	中建材浚鑫科技有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号

专利法律状态

2019-07-16

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):H01L31/18；变更事项:专利权人；变更前:中建材浚鑫科技股份有限公司；变更后:中建材浚鑫科技有限公司；变更事项:地址；变更前:214443 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号；变更后:214443 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
2016-04-13

授权

状态信息

授权
2014-03-19

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01L31/18；变更事项:申请人；变更前:浚鑫科技股份有限公司；变更后:中建材浚鑫科技股份有限公司；变更事项:地址；变更前:214443 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号；变更后:214443 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
2013-06-12

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/18；申请日:20111108
2013-05-08

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例公开了一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法，将硅片装片后推进加工炉，往加工炉内通入氧气并升温，硅片在高温下氧化生成二氧化硅保护层，再对加工炉降温直到五氧化二磷可沉积的温度，通入三氯氧磷、氧气和氮气，三氯氧磷分解生成的五氧化二磷沉积在硅片表面，与硅片发生反应生成磷，然后磷向硅片体内扩散，最后通入氧气再升高温度，使得三氯氧磷能够充分反应，并向硅片体内扩散形成结深的PN结，该方法主要通过对硅片进行高温氧化和低温沉积，从而有效降低硅片的硅格损伤，提高硅片表面少子的寿命，改善形成的PN结的均匀性。

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