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专利状态
可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2019-10-14
申请公布
2020-04-17
授权
2021-09-21
预估到期
2039-10-14
专利基础信息
申请号 CN201910972959.4 申请日 2019-10-14
申请公布号 CN111029436A 申请公布日 2020-04-17
授权公布号 CN111029436B 授权公告日 2021-09-21
分类号 H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/054
分类 基本电气元件;
申请人名称 中建材浚鑫科技有限公司
申请人地址 江苏省无锡市江阴市申港镇镇澄路1011号
专利法律状态
  • 2021-09-21
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-05-12
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L31/18;申请日:20191014
  • 2020-04-17
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供了一种可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池的制作方法,包括如下步骤:步骤S1,表面织构;步骤S2,高温磷扩散;步骤S3,周边刻蚀及背面抛光;步骤S4,正、背面二氧化硅层制备;步骤S5,背面氧化铝层制备;步骤S6,背面碳氮化硅层制备;步骤S7,背面氮氧化硅叠层制备;步骤S8,正面氮氧化硅层制备;步骤S9,背面激光开槽;步骤S10,正、背面电极制备。本发明通过改变电池膜层结构、制作原材料及相应的工艺优化方法来减少氢源来源,降低太阳能电池片中的多余氢原子,达到改善太阳能电池LeTID现象的技术效果。