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专利状态
一种P型单晶硅电池正面镀膜结构
有效
专利申请进度
申请
2018-12-27
授权
2019-08-30
预估到期
2028-12-27
专利基础信息
申请号
CN201822208379.1
申请日
2018-12-27
授权公布号
CN209328908U
授权公告日
2019-08-30
分类号
H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/18
分类
基本电气元件;
申请人名称
苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址
江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号
专利法律状态
2019-08-30
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型公开了一种P型单晶硅电池正面镀膜结构,包括晶硅正面膜,所述晶硅正面膜依次沉积有第一层SiO2层,第二层掺P多晶硅(n‑Si),第三层60‑100nm的SiNx层,所述第一层厚度为1‑4nm,所述第二层厚度为10‑30nm,第三层厚度为60‑100nm。本实用新型降低了银栅线与硅接触处的载流子复合,掺P的多晶硅膜层与电池正面形成n+/n层,阻止了电池n型硅中的少子(空穴)向正表面迁移,从而了减小了表面复合,提高了Voc。
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