一种太阳能电池减反射膜结构

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专利状态

一种太阳能电池减反射膜结构

有效

专利申请进度

申请

2019-06-02

授权

2019-12-31

预估到期

2029-06-02

专利基础信息

申请号	CN201920819048.3	申请日	2019-06-02
授权公布号	CN209880624U	授权公告日	2019-12-31
分类号	H01L31/0216;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号

专利法律状态

2019-12-31

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种太阳能电池减反射膜结构，涉及太阳能电池技术领域。该减反射膜结构包括依次形成在太阳能电池的硅基底上的第一膜层和第二膜层，第一膜层为氮化硅层，第二膜层为碳氧化硅层，第一膜层的厚度在50nm至70nm的范围内，第二膜层的厚度在10nm至30nm的范围内。本实用新型采用由氮化硅层和碳氧化硅层构成的双层减反射介质膜，通过优化膜层厚度，可以降低太阳能电池对波长500nm以下入射光的反射以及提升在800nm以上长波段的光谱响应，从而提高了电池效率。

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