一种高Verdet常数磁光光纤的制备方法

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专利状态

一种高Verdet常数磁光光纤的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-01-16

申请公布

2019-06-07

授权

2020-10-23

预估到期

2039-01-16

专利基础信息

申请号	CN201910041200.4	申请日	2019-01-16
申请公布号	CN109856720A	申请公布日	2019-06-07
授权公布号	CN109856720B	授权公告日	2020-10-23
分类号	G02B6/02;G02F1/095
分类	光学;
申请人名称	深圳太辰光通信股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市坪山区龙田街道锦绣中路8号太辰光通信科技园

专利法律状态

2020-10-23

授权

状态信息

授权
2019-07-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G02B6/02；专利申请号:2019100412004；申请日:20190116
2019-06-07

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种高Verdet常数磁光光纤的制备方法，包括：利用改进的化学气相沉积法在基管内表面沉积GeO2和SiO2；利用高温蒸发沉积法将氧化铽粒子均匀沉积到基管内表面；利用改进的化学气相沉积法在基管内表面依次沉积外包层、内包层和掺杂芯层，然后高温缩管收为实心棒，得到光纤预制棒；对所述光纤预制棒进行拉丝，得到光纤。本发明的制备方法能够进行高浓度氧化铽掺杂且掺杂均一性好，可以提高光纤的Verdet常数。

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