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专利状态

一种单晶硅拉晶工艺方法

有效

专利申请进度

申请

2021-08-25

申请公布

2021-11-16

授权

2023-01-13

预估到期

2041-08-25

专利基础信息

申请号	CN202110984273.4	申请日	2021-08-25
申请公布号	CN113652737A	申请公布日	2021-11-16
授权公布号	CN113652737B	授权公告日	2023-01-13
分类号	C30B15/20;C30B29/06
分类	晶体生长〔3〕;
申请人名称	隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址	陕西省西安市长安区航天中路388号

专利法律状态

2023-01-13

授权

状态信息

授权
2021-12-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C30B15/20；申请日:20210825
2021-11-16

公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法，可以降低掺有挥发性掺杂剂，尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率，提高其电阻率有效长度。

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