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专利状态
一种单晶硅拉晶工艺方法
有效
专利申请进度
申请
2021-08-25
申请公布
2021-11-16
授权
2023-01-13
预估到期
2041-08-25
专利基础信息
申请号 CN202110984273.4 申请日 2021-08-25
申请公布号 CN113652737A 申请公布日 2021-11-16
授权公布号 CN113652737B 授权公告日 2023-01-13
分类号 C30B15/20;C30B29/06
分类 晶体生长〔3〕;
申请人名称 隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 陕西省西安市长安区航天中路388号
专利法律状态
  • 2023-01-13
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-12-03
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):C30B15/20;申请日:20210825
  • 2021-11-16
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法,所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压,单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法,可以降低掺有挥发性掺杂剂,尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率,提高其电阻率有效长度。