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专利状态
一种单晶硅拉晶工艺方法
有效
专利申请进度
申请
2021-08-25
申请公布
2021-11-16
授权
2023-01-13
预估到期
2041-08-25
专利基础信息
申请号
CN202110984273.4
申请日
2021-08-25
申请公布号
CN113652737A
申请公布日
2021-11-16
授权公布号
CN113652737B
授权公告日
2023-01-13
分类号
C30B15/20;C30B29/06
分类
晶体生长〔3〕;
申请人名称
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址
陕西省西安市长安区航天中路388号
专利法律状态
2023-01-13
授权
状态信息
授权
2021-12-03
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):C30B15/20;申请日:20210825
2021-11-16
公布
状态信息
公布
摘要
本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法,所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压,单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法,可以降低掺有挥发性掺杂剂,尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率,提高其电阻率有效长度。
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