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专利状态
基于磁控溅射的PECVD镀膜装置及方法
有效
专利申请进度
申请
2022-06-20
申请公布
2022-09-27
授权
2023-05-02
预估到期
2042-06-20
专利基础信息
申请号 CN202210695363.6 申请日 2022-06-20
申请公布号 CN115110048A 申请公布日 2022-09-27
授权公布号 CN115110048B 授权公告日 2023-05-02
分类号 C23C14/35;C23C16/50
分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称 肇庆市科润真空设备有限公司
申请人地址 广东省肇庆市端州一路南侧(市财贸学校对面)
专利法律状态
  • 2023-05-02
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-09-27
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开一种基于磁控溅射的PECVD镀膜装置及方法,通过在PECVD镀膜装置中加入磁控溅射用的磁铁及阴极靶材,使真空镀膜室内同时产生电场作用和磁场作用;利用电场作用使进入镀膜室内的工作气体产生等离子体,高密度的等离子体使进入镀膜室内的反应气体或介质气体分解;同时,利用磁场作用使等离子体也溅射到阴极靶材上,将阴极靶材上的材料离子溅射出来,与反应气体或介质气体分解产生的基团混合并同步沉积于基片表面,从而形成掺杂有材料离子的膜层。本发明实现在PECVD镀膜的过程中同时掺杂上金属离子或膜层所需的其他离子,从而简化设备结构及整个生产工艺,并实现在所镀膜层中均匀掺杂所需的材料离子,从而提高膜层质量。