一种高光效发光二极管及其封装方法

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专利状态

一种高光效发光二极管及其封装方法

有效

专利申请进度

申请

2009-07-30

申请公布

2010-01-06

授权

2012-09-26

预估到期

2029-07-30

专利基础信息

申请号	CN200910109176.X	申请日	2009-07-30
申请公布号	CN101621107A	申请公布日	2010-01-06
授权公布号	CN101621107B	授权公告日	2012-09-26
分类号	H01L33/00;H01L25/075;H01L21/50
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市聚飞光电股份有限公司
申请人地址	深圳市宝安区大浪街道高峰社区创艺路65号厂房1-4层

专利法律状态

2021-11-26

专利权质押合同登记的生效、变更及注销

状态信息

专利权质押合同登记的生效；IPC(主分类):H01L33/00；登记号:Y2021980012255；登记生效日:20211110；出质人:深圳市聚飞光电股份有限公司；质权人:深圳市高新投小额贷款有限公司；发明名称:一种高光效发光二极管及其封装方法；申请日:20090730；授权公告日:20120926
2012-09-26

授权

状态信息

授权
2010-03-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2010-01-06

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种高光效发光二极管，包括基板、安装在基板上的至少一发光芯片、至少一第一电极、至少一第二电极以及透明封装体，所述第一电极、第二电极与发光芯片电性连接，所述透明封装体包覆所述电极与发光芯片。在所述发光芯片和透明封装体之间封装一反光杯，所述反光杯具有反射曲面，部分发光芯片产生的光线在透明封装体和空气临界处发生全反射折回透明封装体，所述反射曲面用于将折回的光线反射出透明封装体。本发明的发光二极管通过试验模拟测算可提高30％以上出光效率。

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