一种多层结构的芯片级封装LED器件及背光模组

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专利状态

一种多层结构的芯片级封装LED器件及背光模组

有效

专利申请进度

申请

2017-12-19

授权

2018-08-28

预估到期

2027-12-19

专利基础信息

申请号	CN201721786390.5	申请日	2017-12-19
授权公布号	CN207781635U	授权公告日	2018-08-28
分类号	H01L33/48;H01L33/60;H01L33/52;H01L33/62
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市聚飞光电股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市龙岗区平湖街道鹅公岭社区鹅岭工业区4号

专利法律状态

2018-08-28

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种多层结构的芯片级封装LED器件及背光模组，该芯片级封装LED器件包括形成反射腔的反射胶体，设置于反射腔底部的LED芯片，形成于反射腔内将LED芯片覆盖的第一透明胶层，形成于反射腔内位于第一透明胶层之上的第一发光转换胶层，反射腔的腔体内壁与水平面之间的夹角大于90°，相比现有芯片级封装LED器件，反射胶层与水平面成90°不利于光的反射，LED芯片与发光转换胶层直接接触导致发光转换胶层光效降低和LED芯片表面易形成气泡，本实用新型提供的芯片级封装LED器件可以降低LED芯片表面出现气泡的情况，提高光萃取率，本实用新型提供的包括上述多层结构的芯片级封装LED器件的背光模组，相比现有背光模组，可以提高光的可靠性、光萃取率。

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