用于半导体芯片焊接的密封腔体及真空共晶炉

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专利状态

用于半导体芯片焊接的密封腔体及真空共晶炉

有效

专利申请进度

申请

2022-03-08

授权

2022-06-24

预估到期

2032-03-08

专利基础信息

申请号	CN202220509376.5	申请日	2022-03-08
授权公布号	CN216818319U	授权公告日	2022-06-24
分类号	H01L23/04;H01L23/10;H01L23/12;H01L23/34;H01L23/367;H01L21/67
分类	基本电气元件;
申请人名称	快克智能装备股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路11号

专利法律状态

2022-06-24

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及半导体芯片焊接技术领域，尤其是一种用于半导体芯片焊接的密封腔体及真空共晶炉，包括：上腔体；下腔体，与上腔体相对设置，所述上腔体和下腔体在闭合时彼此之间形成密封腔；载板组件，配置在密封腔内，用于放置芯片，载板组件的上方和下方均配置有用于对其辐射加热的加热组件；以及冷却组件，具有用于通入冷却液对载板组件进行冷却的冷却管，本实用新型采用在载板组件的上下分别设置加热组件，对其进行非接触式辐射加热，给芯片和载板提供了高效快捷的加热及均匀的温度分布，同时采用冷却管嵌入载板组件，直接接触冷却，使芯片冷却速度大大提高，在功率一定的前提下，同时兼顾了加热与冷却性能。

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