适用于光伏应用的I-III-VI化合物的制造方法

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专利状态

适用于光伏应用的I-III-VI化合物的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2011-10-10

申请公布

2013-08-14

授权

2016-06-29

预估到期

2031-10-10

专利基础信息

申请号	CN201180058112.7	申请日	2011-10-10
申请公布号	CN103250258A	申请公布日	2013-08-14
授权公布号	CN103250258B	授权公告日	2016-06-29
分类号	H01L31/032;C25D5/10;C25D7/06;C25D21/12
分类	基本电气元件;
申请人名称	法国电力公司
申请人地址	法国巴黎

专利法律状态

2019-03-01

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01L 31/032；专利号:ZL2011800581127；登记生效日:20190203；变更事项:专利权人；变更前权利人:耐克西斯公司；变更后权利人:法国电力公司；变更事项:地址；变更前权利人:法国鲁塞；变更后权利人:法国巴黎
2016-06-29

授权

状态信息

授权
2013-12-11

发明专利公报更正

状态信息

发明专利公报更正号牌文件类型代码=1608号牌文件序号=101676457117卷=29号=33IPC(主分类)=H01L0031032000更正项目=进入国家阶段日期误=2013.05.28正=2013.05.27
2013-12-11

发明专利申请更正

状态信息

发明专利申请更正卷=29号=33页码=扉页更正项目=进入国家阶段日期误=2013.05.28正=2013.05.27
2013-09-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/032申请日:20111010
2013-08-14

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及适用于薄膜形式的光伏应用的I-III-VI化合物的制造工艺，其包括以下步骤：a)在电极表面上电镀薄膜结构，该电镀薄膜结构由I族和/或III族元素组成，该电极形成基底(SUB)；b)将至少一个VI族元素合并于该结构内，以便于获得I-III-VI化合物。根据本发明，所述电镀步骤包括检测在接收沉淀的基底整个表面上的薄膜厚度均匀度，该厚度均匀度不能大于3％。

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