通过热处理和硫族化I-III前导层形成I-III-VI2半导体层

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专利状态

通过热处理和硫族化I-III前导层形成I-III-VI2半导体层

有效

专利申请进度

申请

2014-04-30

申请公布

2016-04-27

授权

2018-11-27

预估到期

2034-04-30

专利基础信息

申请号	CN201480036695.7	申请日	2014-04-30
申请公布号	CN105531803A	申请公布日	2016-04-27
授权公布号	CN105531803B	授权公告日	2018-11-27
分类号	H01L21/36;H01L21/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	法国电力公司
申请人地址	法国巴黎

专利法律状态

2019-03-08

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01L 21/36；专利号:ZL2014800366957；登记生效日:20190219；变更事项:专利权人；变更前权利人:耐克西斯公司；变更后权利人:法国电力公司；变更事项:地址；变更前权利人:法国鲁塞；变更后权利人:法国巴黎
2018-11-27

发明专利权授予

状态信息

授权
2016-05-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 21/36；申请日:20140430
2016-04-27

国际专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及形成半导体层的工业方法领域，尤其涉及关于光伏应用的领域，更具体而言而，涉及通过热处理和硫族化I‑III型金属前导层形成I‑III‑VI2型半导体层的方法，该方法包括：‑在惰性气体中的加热步骤S1，在该步骤中，温度均匀加热至介于460℃至540℃之间的第一温度T1，以便使金属前导层(2)致密化，以及，‑在所述第一温度T1开始的硫族化步骤S2，在该步骤中，温度继续增加至介于550℃至600℃之间的稳定的第二温度T2，以便形成半导体层。因此，有利的是，能形成转换效率的增益约为4％的半导体层或等效的吸收体。

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