用于制备可转移的薄层的方法

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专利状态

用于制备可转移的薄层的方法

有效

专利申请进度

申请

2018-11-15

申请公布

2021-01-12

授权

2024-02-06

预估到期

2038-11-15

专利基础信息

申请号	CN201880085526.0	申请日	2018-11-15
申请公布号	CN112219262A	申请公布日	2021-01-12
授权公布号	CN112219262B	授权公告日	2024-02-06
分类号	H01L21/20;H01L21/762
分类	基本电气元件;
申请人名称	法国电力公司
申请人地址	法国巴黎

专利法律状态

2024-02-06

授权

状态信息

授权
2021-01-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/20；申请日:20181115
2021-01-12

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种用于制备包括至少一个全单晶半导体层的半导体材料的方法，该方法包括以下步骤：（i）预处理第一衬底的表面以容纳单晶硅层；（ii）在步骤（i）中获得的单晶硅层上，使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD），通过具有生长速率梯度的外延生长来沉积单晶硅层；以及（iii）在步骤（ii）中获得的单晶硅层上外延生长半导体材料的单晶层，由此获得包括至少一个全单晶半导体层的材料。本发明还涉及一种多层材料，该多层材料包括半导体材料的单晶层。

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