一种DRAM内存驱动优化方法和装置

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专利状态

一种DRAM内存驱动优化方法和装置

有效

专利申请进度

申请

2020-08-31

申请公布

2020-12-22

授权

2022-04-19

预估到期

2040-08-31

专利基础信息

申请号	CN202010897360.1	申请日	2020-08-31
申请公布号	CN112115077A	申请公布日	2020-12-22
授权公布号	CN112115077B	授权公告日	2022-04-19
分类号	G06F13/10
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	瑞芯微电子股份有限公司
申请人地址	福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

专利法律状态

2022-04-19

授权

状态信息

授权
2020-12-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种DRAM内存驱动优化方法和装置，其中装置包括一个处理器和一组以上的DRAM内存芯片，所述处理器包括N组的内存数据接口，内存数据接口的数量大于DRAM内存芯片的数量，每组的所述内存数据接口包括一对DQS差分信号引脚和M位数据引脚，每组的所述DRAM内存芯片包括两个DRAM内存芯片，每个DRAM内存芯片包括M/2位的数据引脚和一对DQS差分信号，每组中的两个DRAM内存芯片组成M位数据引脚并与处理器的一组内存数据接口的M位数据引脚一对一连接。本方案每个内存芯片单独连接处理器的一对DQS差分信号引脚，这样不存在处理器的一对DQS差分信号引脚连接两个内存芯片的情况。从而避免了信号相位差带来的存储问题。

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