一种DRAM接口类型探测方法及存储介质

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专利状态

一种DRAM接口类型探测方法及存储介质

有效

专利申请进度

申请

2020-06-10

申请公布

2020-10-30

授权

2022-07-15

预估到期

2040-06-10

专利基础信息

申请号	CN202010522066.2	申请日	2020-06-10
申请公布号	CN111857570A	申请公布日	2020-10-30
授权公布号	CN111857570B	授权公告日	2022-07-15
分类号	G06F3/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	瑞芯微电子股份有限公司
申请人地址	福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

专利法律状态

2022-07-15

授权

状态信息

授权
2020-11-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F3/06；申请日:20200610
2020-10-30

公布

状态信息

公布

摘要

一种DRAM接口类型探测方法及存储介质，其中方法包括如下步骤，调整DRAM接口读指令延迟自8起依次增大2、DRAM接口写指令延迟自4起依次增大1；若存在某次增大后DRAM颗粒访问成功，则判断为LPDDR3颗粒，否则判断为LPDDR2颗粒。我们发现在实际应用中读指令延迟、写指令延迟与不同DRAM类型工作响应之间的关系，从而将其应用在接口类型探测中，通过上述方案，能够有效识别DRAM的接口类型。

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