一种关于IC高压损伤模拟系统及方法

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专利状态

一种关于IC高压损伤模拟系统及方法

有效

专利申请进度

申请

2019-06-27

申请公布

2019-10-25

授权

2022-06-17

预估到期

2039-06-27

专利基础信息

申请号	CN201910566192.5	申请日	2019-06-27
申请公布号	CN110376504A	申请公布日	2019-10-25
授权公布号	CN110376504B	授权公告日	2022-06-17
分类号	G01R31/28
分类	测量；测试;
申请人名称	瑞芯微电子股份有限公司
申请人地址	福建省福州市鼓楼区软件大道89号18号楼

专利法律状态

2022-06-17

授权

状态信息

授权
2019-10-25

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种关于IC高压损伤模拟系统及方法，所述系统包括控制装置、电压装置、电压脉冲源装置及检测装置；所述控制装置连接于电压装置及电压脉冲源装置，所述控制装置用于控制电压装置及电压脉冲源装置；所述电压装置用于为待检测IC提供工作电压；所述电压脉冲源装置用于向待检测IC的待测引脚输出电平脉冲；所述检测装置用于采集待测IC的耐压程度及损伤程度，并生成数据库。通过对待检测IC进行高压损伤模拟，形成每颗IC特有的数据库，而当发生IC失效时，将失效数据导入到数据库中进行比对，就可以反推出导致损伤的电压状态以及路径，实现追根溯源，及快速定位失效源头，提高终端问题的解决效率。

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