化合物半导体柔性碳基膜及其制备方法

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专利状态

化合物半导体柔性碳基膜及其制备方法

失效

专利申请进度

申请

2019-10-30

申请公布

2020-03-06

授权

2021-09-28

预估到期

2039-10-30

专利基础信息

申请号	CN201911046108.3	申请日	2019-10-30
申请公布号	CN110862076A	申请公布日	2020-03-06
授权公布号	CN110862076B	授权公告日	2021-09-28
分类号	C01B32/05;C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08;C23C14/48;C23C14/58;C30B29/68;C30B33/02
分类	无机化学;
申请人名称	深圳丹邦科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市高新技术产业园北区朗山一路8号

专利法律状态

2023-11-10

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):C01B 32/05；专利号:ZL2019110461083；申请日:20191030；授权公告日:20210928；终止日期:
2021-09-28

授权

状态信息

授权
2020-03-31

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C01B32/05；申请日:20191030
2020-03-06

公布

状态信息

公布

摘要

一种化合物半导体柔性碳基膜及其制备方法，包括以下步骤：S1、将含有苯基的酐与二胺杂化得到热塑性聚酰亚胺树脂前驱体；S2、使用所述热塑性聚酰亚胺树脂前驱体制备聚酰亚胺薄膜；S3、对聚酰亚胺薄膜碳化黑铅化，并对聚酰亚胺薄膜掺杂纳米金属，进行离子注入和离子交换，其中，使膜中的纳米单斜晶体相变为四方晶体，并由单晶变为超晶格；S4、对步骤S3得到的材料进行高温退火处理，生成超柔韧的超薄化合物半导体膜。本发明提供了高性能、超柔韧、超薄层微结构的化合物半导体材料。

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