非接触式扭矩传感器磁路结构

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专利状态

非接触式扭矩传感器磁路结构

有效

专利申请进度

申请

2013-11-18

申请公布

2015-05-27

授权

2018-06-19

预估到期

2033-11-18

专利基础信息

申请号	CN201310578568.7	申请日	2013-11-18
申请公布号	CN104655338A	申请公布日	2015-05-27
授权公布号	CN104655338B	授权公告日	2018-06-19
分类号	G01L3/00
分类	测量；测试;
申请人名称	联创汽车电子有限公司
申请人地址	上海市浦东新区金吉路33弄4幢4楼

专利法律状态

2018-06-19

授权

状态信息

授权
2015-06-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G01L 3/00申请日:20131118
2015-05-27

公布

状态信息

公开

摘要

本发明公开了一种非接触式扭矩传感器磁路结构，包括：单侧具有齿形结构的上集磁环和下集磁环,上集磁环的齿形结构和下集磁环的齿形结构相互对应呈咬合状交错设置；设置于上集磁环和下集磁环内侧的多对径向充磁的磁铁,设置于上、下集磁环之间位于所述齿形结构旁侧的单导磁片，以及固定在导磁片上的芯片；其中，所述上集磁环的边缘具有凸形折弯结构。本发明能使非接触式扭矩传感器磁场均匀化，增加传感器的稳定性，减小磁力线传导路径，增强磁力线的磁感应强度。

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