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专利状态

MOS开启电路

有效

专利申请进度

申请

2019-09-04

授权

2020-03-31

预估到期

2029-09-04

专利基础信息

申请号	CN201921466515.5	申请日	2019-09-04
授权公布号	CN210225370U	授权公告日	2020-03-31
分类号	H03K17/081
分类	基本电子电路;
申请人名称	青岛中科英泰商用系统股份有限公司
申请人地址	山东省青岛市高新区新业路28号英泰产业园

专利法律状态

2020-03-31

授权

状态信息

授权

摘要

一种MOS开启电路，包括电容、二极管和MOS管；第一电容一端与单片机的IO端口相连，另一端连接二极管的正极；第二电容一端连接二极管的负极，另一端接地；第一MOS管的源极和漏极分别连接电源输入端和电源输出端，第一MOS管的栅极连接第二MOS管的漏极；第二MOS管的栅极与二极管的负极相连，第二MOS管的源极接地。MOS开启电路在单片机正常工作时能够电容的充放电，保持MOS管的导通，保证电源输入与输出之间的连接，使设备正常供电工作。并且能够在单片机中软件运行出现bug而持续输出高电平时，使第一电容充电结束行程开路，进而使第二电容结束放电将第二MOS管关断，最终使第一MOS管关断，切断电源输入与输出之间的连接，停止供电，避免长时间通电造成过热烧坏。

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