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专利状态

静电容薄膜触摸键盘

有效

专利申请进度

申请

2014-01-08

申请公布

2014-04-23

授权

2017-03-08

预估到期

2034-01-08

专利基础信息

申请号	CN201410008072.0	申请日	2014-01-08
申请公布号	CN103744522A	申请公布日	2014-04-23
授权公布号	CN103744522B	授权公告日	2017-03-08
分类号	G06F3/02
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	珠海市智迪科技股份有限公司
申请人地址	广东省珠海市唐家湾金峰西路金鼎工业园21号一栋二层

专利法律状态

2017-03-08

授权

状态信息

授权
2016-03-09

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G06F3/02；变更事项:申请人；变更前:珠海市智迪科技有限公司；变更后:珠海市智迪科技股份有限公司；变更事项:地址；变更前:519000 广东省珠海市唐家湾金峰西路金鼎工业园21号；变更后:519000 广东省珠海市唐家湾金峰西路金鼎工业园21号一栋二层
2014-06-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F3/02；申请日:20140108
2014-04-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开并提供了一种工艺比较简单、生产成本低、磨损率比较小、接触稳定性好的静电容薄膜触摸键盘。该静电容薄膜触摸键盘包括电容式检测芯片和静电容薄膜线路板，所述静电容薄膜线路板包括依次设置的第一薄膜线路层（1）、导电隔离层（2）、薄膜隔片层（3）以及第二薄膜线路层或PCB层（4），所述第一薄膜线路层（1）的下表面设置有第一矩阵电路和多个上触点（10），所述第二薄膜线路层或PCB层（4）的上表面设置有第二矩阵电路和多个下触点（40），所述薄膜隔片层（3）上设置有保证所述多个上触点（10）、所述多个下触点（40）与所述薄膜隔片层（3）形成电容单元的通孔（30），所述第一矩阵电路和所述第二矩阵电路均与所述电容式检测芯片电连接。

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