带有ESD结构的沟槽型半导体器件及其制造方法

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专利状态

带有ESD结构的沟槽型半导体器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2016-03-31

申请公布

2017-10-24

授权

2020-12-04

预估到期

2036-03-31

专利基础信息

申请号	CN201610201989.1	申请日	2016-03-31
申请公布号	CN107293486A	申请公布日	2017-10-24
授权公布号	CN107293486B	授权公告日	2020-12-04
分类号	H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	北大方正集团有限公司
申请人地址	北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

专利法律状态

2020-12-04

授权

状态信息

授权
2017-11-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20160331
2017-10-24

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种带有ESD结构的沟槽型半导体器件及其制造方法，通过在半导体衬底上形成第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽的宽度小于第二沟槽；并在形成第一沟槽和第二沟槽后的半导体衬底上依次形成第一氧化层和第一介质层；在第一介质层上涂覆完全填充第二沟槽的第一掩膜介质；去除第一沟槽与第二沟槽外的第一介质层；在第二沟槽内形成静电放电ESD结构的离子注入区，该离子注入区包括并列且交替排列的P⁺型区和N⁺型区。从而通过将ESD结构的离子注入区设置在大于第一沟槽的第二沟槽内，使得该ESD结构在形成过程中不需要采用光刻掩模版进行光刻刻蚀，而直接采用回刻的方式将沟槽型半导体器件沟槽外部平面处的多晶硅刻蚀掉，简化制作工艺，降低制作成本。

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