一种三维立体芯片的走线结构

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专利状态

一种三维立体芯片的走线结构

有效

专利申请进度

申请

2018-09-25

授权

2019-08-30

预估到期

2028-09-25

专利基础信息

申请号	CN201821560970.7	申请日	2018-09-25
授权公布号	CN209328843U	授权公告日	2019-08-30
分类号	H01L21/48;H01L23/538;H01L41/047;H01L41/29
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市麦捷微电子科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市坪山区坑梓街道新乔围工业区新发路5号

专利法律状态

2019-08-30

授权

状态信息

授权

摘要

一种三维立体芯片的走线结构，涉及到声表面波器件芯片技术领域。解决现有的声表面波器件芯片采用平面工艺生产，产品体积大，不利于小型化发展需求的技术不足，包括有基片，基片上设有第一金属层；其特征于：所述的基片上还设有与第一金属层隔离相交的第二金属层，所述的第一金属层上与第二金属层相交处设有隔离胶层，隔离胶层与第二金属层相交的边缘为梯度化平缓过度结构。实现横纵两路信号的连接同时又没有短路，大大减小了芯片的面积，是芯片目前及未来不可或缺的技术。采用梯度化处理的隔离胶层边缘，可以有效防止空腔会塌陷，第二金属层易断裂，芯片性能上开路即器件功能失效的技术问题，可靠性好。

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