基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器

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专利状态

基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器

有效

专利申请进度

申请

2012-12-18

申请公布

2013-04-17

授权

2016-05-25

预估到期

2032-12-18

专利基础信息

申请号	CN201210551134.3	申请日	2012-12-18
申请公布号	CN103048043A	申请公布日	2013-04-17
授权公布号	CN103048043B	授权公告日	2016-05-25
分类号	G01J1/42;G01N27/12
分类	测量；测试;
申请人名称	苏州锦富技术股份有限公司
申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区江浦路39号

专利法律状态

2017-07-07

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):G01J1/42；变更事项:专利权人；变更前:苏州锦富新材料股份有限公司；变更后:苏州锦富技术股份有限公司；变更事项:地址；变更前:215126 江苏省苏州市苏州工业园区胜浦分区民胜路39号；变更后:215126 江苏省苏州市苏州工业园区江浦路39号；变更事项:共同专利权人；变更前:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所；变更后:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
2016-05-25

授权

状态信息

授权
2013-05-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01J1/42；申请日:20121218
2013-04-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器，所述的探测器包括：敏感元件层、源电极和漏电极，其特征在于：所述敏感元件层由无机半导体单晶网络结构组成。和传统的探测器中采用的薄膜或多晶网络结构的敏感元件相比，单晶网络结构可以保证作为探测层的半导体材料拥有巨大的比表面积，增大了其与光或气体作用位点；同时单晶网络结构能够显著降低缺陷的数量，提高电子的输运特性。因此，利用本方法可以显著提高探测器的灵敏度，缩短响应时间，提高探测效率。

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