晶圆结构及晶圆加工方法_专利查询-品牌网

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专利状态

晶圆结构及晶圆加工方法

有效

专利申请进度

申请

2015-08-20

申请公布

2017-03-01

授权

2020-09-18

预估到期

2035-08-20

专利基础信息

申请号	CN201510516062.2	申请日	2015-08-20
申请公布号	CN106467289A	申请公布日	2017-03-01
授权公布号	CN106467289B	授权公告日	2020-09-18
分类号	B81C1/00
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	共达电声股份有限公司
申请人地址	山东省潍坊市坊子区凤山路68号

专利法律状态

2020-09-18

授权

状态信息

授权
2019-03-08

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):B81C1/00；专利申请号:2015105160622；变更事项:申请人；变更前:山东共达电声股份有限公司；变更后:共达电声股份有限公司；变更事项:地址；变更前:261000 山东省潍坊市坊子区凤山路68号；变更后:261200 山东省潍坊市坊子区凤山路68号
2018-08-17

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):B81C1/00；专利申请号:2015105160622；登记生效日:20180730；变更事项:申请人；变更前权利人:北京卓锐微技术有限公司；变更后权利人:山东共达电声股份有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:100191 北京市海淀区知春路23号量子银座1002室；变更后权利人:261000 山东省潍坊市坊子区凤山路68号
2017-03-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):B81C1/00；申请日:20150820
2017-03-01

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种晶圆结构及一种晶圆测试方法。所述晶圆结构用于形成多个管芯，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；位于所述半导体衬底的第一表面上的多个第一功能层和多个第二功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开，所述多个第二功能层位于所述划片道中；以及位于所述多个第二功能层下方的多个划片标记，其中，所述多个管芯分别包括半导体衬底的一部分和所述多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第二功能层用于提供所述多个管芯中的相邻管芯之间的机械和/或电连接。所述晶圆结构可以在划片道中提供功能层，并且便于激光切割分离相邻的管芯。

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