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专利状态
一种陶瓷封装基座
有效
专利申请进度
申请
2021-03-08
申请公布
2021-07-23
授权
2022-07-22
预估到期
2041-03-08
专利基础信息
申请号
CN202110249306.0
申请日
2021-03-08
申请公布号
CN113161297A
申请公布日
2021-07-23
授权公布号
CN113161297B
授权公告日
2022-07-22
分类号
H01L23/14;H01L23/15;H01L23/373
分类
基本电气元件;
申请人名称
潮州三环(集团)股份有限公司
申请人地址
广东省潮州市凤塘三环工业城内综合楼
专利法律状态
2022-07-22
授权
状态信息
授权
2021-07-23
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种陶瓷封装基座。这种陶瓷封装基座包括绝缘基体和钨导电层;钨导电层设置于绝缘基体的至少一个表面上;绝缘基体由氮化铝陶瓷形成;其中,钨导电层包括W、Al和M,M表示稀土元素。本发明制备的氮化铝陶瓷封装基座热导率高,导电层结合力好,布线电阻小。这种氮化铝陶瓷封装基座适用于传感器领域,尤其是高功率的TOF模组封装,不仅解决了散热的问题,同时也能满足TOF工作环境的要求。
更多专利
1
一种阻值范围为0.1Ω/□~1Ω/□的厚膜电阻浆料及其制备方法
2
一种制造多层陶瓷电容器的方法
3
一种可选择性电镀的陶瓷封装基座、组合板及加工方法
4
一种陶瓷封装体
5
一种热敏打印头
6
一种尖嘴陶瓷柱T面检测装置
7
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8
一种厚膜电阻浆料
9
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10
密封端子
11
一种移动终端陶瓷壳体
12
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13
助焊剂及包含该助焊剂的锡膏
14
一种拼接陶瓷及其制备方法与应用
15
封接玻璃、其制备方法及应用
16
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17
一种有机金导体浆料
18
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19
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20
一种陶瓷浆料及其制备的多层陶瓷电容器
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