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专利状态
一种陶瓷封装基座
有效
专利申请进度
申请
2021-03-08
申请公布
2021-07-23
授权
2022-07-22
预估到期
2041-03-08
专利基础信息
申请号 CN202110249306.0 申请日 2021-03-08
申请公布号 CN113161297A 申请公布日 2021-07-23
授权公布号 CN113161297B 授权公告日 2022-07-22
分类号 H01L23/14;H01L23/15;H01L23/373
分类 基本电气元件;
申请人名称 潮州三环(集团)股份有限公司
申请人地址 广东省潮州市凤塘三环工业城内综合楼
专利法律状态
  • 2022-07-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-23
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种陶瓷封装基座。这种陶瓷封装基座包括绝缘基体和钨导电层;钨导电层设置于绝缘基体的至少一个表面上;绝缘基体由氮化铝陶瓷形成;其中,钨导电层包括W、Al和M,M表示稀土元素。本发明制备的氮化铝陶瓷封装基座热导率高,导电层结合力好,布线电阻小。这种氮化铝陶瓷封装基座适用于传感器领域,尤其是高功率的TOF模组封装,不仅解决了散热的问题,同时也能满足TOF工作环境的要求。