多通道闪存控制器的纠错装置、方法及多通道闪存控制器

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专利状态

多通道闪存控制器的纠错装置、方法及多通道闪存控制器

有效

专利申请进度

申请

2010-12-31

申请公布

2012-07-04

授权

2015-09-30

预估到期

2030-12-31

专利基础信息

申请号	CN201010619730.1	申请日	2010-12-31
申请公布号	CN102543209A	申请公布日	2012-07-04
授权公布号	CN102543209B	授权公告日	2015-09-30
分类号	G11C29/42;G11C7/10
分类	信息存储;
申请人名称	深圳市朗科科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区高新区中国科技开发院孵化大楼六楼

专利法律状态

2015-09-30

授权

状态信息

授权
2013-04-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G11C 29/42申请日:20101231
2012-07-04

公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供了多通道闪存控制器的纠错装置、方法及多通道闪存控制器，所述纠错装置包括编解码模块和计算错误模块，所述编解码模块具体包括一个组合逻辑电路和对应多通道的多个时序逻辑电路，所述编解码模块还包括：多路选择器，用于根据当前周期的各通道数据有效性，将对应有效通道的数据和时序逻辑寄存器信息选入所述组合逻辑电路中；输入模块，用于将所述组合逻辑电路的运算结果输入所述对应有效通道的时序逻辑寄存器中。采用本发明实施例公开的纠错装置、纠错方法及多通道闪存控制器，可以解决现有技术中的纠错方法都会因为各通道独立占用纠错模块，而使得成本极其昂贵且浪费大量资源的问题。

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