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专利状态
闪存设备及其数据存储方法
有效
专利申请进度
申请
2010-03-31
申请公布
2011-10-05
授权
2016-04-27
预估到期
2030-03-31
专利基础信息
申请号 CN201010145179.1 申请日 2010-03-31
申请公布号 CN102208210A 申请公布日 2011-10-05
授权公布号 CN102208210B 授权公告日 2016-04-27
分类号 G06F11/07
分类 信息存储;
申请人名称 深圳市朗科科技股份有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区高新区南区高新南六道10号朗科大厦16、18、19层
专利法律状态
  • 2016-04-27
    授权
    状态信息
    授权
  • 2013-01-02
    著录事项变更
    状态信息
    著录事项变更;IPC(主分类):G11C16/26;变更事项:申请人;变更前:深圳市朗科科技股份有限公司;变更后:深圳市朗科科技股份有限公司;变更事项:地址;变更前:518000 广东省深圳市南山区高新区高新南一道中国科技开发院孵化大楼6楼;变更后:518057 广东省深圳市南山区高新区南区高新南六道10号朗科大厦16、18、19层
  • 2013-01-02
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G11C16/26;申请日:20100331
  • 2011-10-05
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请提供了一种闪存设备及其数据存储方法。所述闪存设备包括:加扰模块,被配置成使待存储的数据随机化;存储介质,被配置成存储所述随机化的数据;以及解扰模块,被配置成对从所述存储介质中读取的数据进行解扰。所述方法包括:存储过程和读取过程,其中所述存储过程包括:将待存储的原始数据随机化、以及存储所述随机化的数据;所述读取过程包括将存储的所述随机化的数据还原为原始数据。根据本申请的闪存设备及其数据存储方法,通过在将数据写入到存储介质之前对数据进行加扰,使之成为随机化的数据,可以不仅限制写入的数据中连续的1或0的数量,而且各页之间的数据也可以随机不相关,从而可以减小相邻存储单元间的电容耦合干扰,降低出错的可能。