包括电磁吸收和屏蔽的半导体装置

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专利状态

包括电磁吸收和屏蔽的半导体装置

有效

专利申请进度

申请

2012-04-26

申请公布

2014-09-24

授权

2019-02-26

预估到期

2032-04-26

专利基础信息

申请号	CN201280053715.2	申请日	2012-04-26
申请公布号	CN104067389A	申请公布日	2014-09-24
授权公布号	CN104067389B	授权公告日	2019-02-26
分类号	H01L23/552;H05K9/00;H05K1/02;H05K3/46;H01L27/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	晟碟半导体（上海）有限公司
申请人地址	上海市闵行区江川东路388号

专利法律状态

2019-02-26

授权

状态信息

授权
2015-05-06

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/552申请日:20120426
2014-09-24

公布

状态信息

公开

摘要

公开了一种半导体装置，该半导体装置包括用于吸收EMI和/或RFI的材料。该装置包括：衬底(202)；一个或更多个半导体裸芯(224、225)；以及围绕所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)的模塑料。用于吸收EMI和/或RFI的所述材料可设置在所述衬底(202)上的阻焊膜层(210)内或上。该装置还包括围绕所述模塑料并且与衬底上的EMI/RFI吸收材料相接触的EMI/RFI吸收材料，以将所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)完全包覆在EMI/RFI吸收材料中。

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