一种提升闪存性能的方法、装置、设备及存储介质

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专利状态

一种提升闪存性能的方法、装置、设备及存储介质

有效

专利申请进度

申请

2017-11-23

申请公布

2018-05-18

授权

2020-06-19

预估到期

2037-11-23

专利基础信息

申请号	CN201711178871.2	申请日	2017-11-23
申请公布号	CN108052279A	申请公布日	2018-05-18
授权公布号	CN108052279B	授权公告日	2020-06-19
分类号	G06F3/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	深圳市江波龙电子股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区科发路8号金融服务技术创新基地1栋8楼A、B、C、D、E、F1

专利法律状态

2020-06-19

授权

状态信息

授权
2018-11-30

著录事项变更

状态信息

著录事项变更IPC(主分类):G06F 3/06变更前申请人:深圳市江波龙电子有限公司地址:518057 广东省深圳市南山区科发路8号金融基地1栋8楼变更后申请人:深圳市江波龙电子股份有限公司地址:518000 广东省深圳市南山区科发路8号金融服务技术创新基地1栋8楼A、B、C、D、E、F1
2018-06-12

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G06F 3/06
2018-05-18

公布

状态信息

公布

摘要

一种提升闪存性能的方法包括：获取闪存的数据块所对应的读取方式和读取方式所对应的读取次数，所述读取方式包括顺序读取和随机读取；根据所述读取方式以及所述读取方式对应的次数，确定闪存的数据块的受干扰程度；当数据块的受干扰程度大于预定的干扰阈值时，将所述数据块中的数据搬移至空的数据块。通过区分顺序读取和随机读取对数据块带来的干扰程度，从而能够更加准确的确定数据块的数据搬移时间点，防止过早数据搬移引起的写放大，从而降低读写响应时间和延长闪存的使用寿命。

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