应用于多晶黑硅太阳能电池的低压扩散工艺

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专利状态

应用于多晶黑硅太阳能电池的低压扩散工艺

有效

专利申请进度

申请

2018-02-28

申请公布

2018-07-24

授权

2020-04-24

预估到期

2038-02-28

专利基础信息

申请号	CN201810166588.6	申请日	2018-02-28
申请公布号	CN108321255A	申请公布日	2018-07-24
授权公布号	CN108321255B	授权公告日	2020-04-24
分类号	H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	无锡尚德太阳能电力有限公司
申请人地址	江苏省无锡市新吴区新华路9号

专利法律状态

2020-04-24

授权

状态信息

授权
2018-08-17

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18
2018-07-24

公布

状态信息

公开

摘要

本发明涉及一种应用于多晶黑硅太阳能电池的低压扩散工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）硅片进管；（2）恒温；（3）低温氧化，在硅片表面生成一层薄的氧化层，使后续磷源沉积更均匀；（4）低温淀积，在硅片表面均匀沉积磷源；（5）高温推进，使磷源向硅片体内扩散；所述高温推进的温度为820‑850℃，氮气流量为1000‑3000sccm，干氧气为0‑1000sccm，炉内压强50‑150mbar，时间10‑20分钟；（6）二次扩散，二次扩散的温度为800‑850℃，氮气流量为1000‑3000sccm，携源氮气为0‑400sccm，干氧气为0‑1000sccm，炉内压强50‑150mbar，时间2‑10分钟；（7）降温；（8）充氮，使管内压力达到大气压，以便炉门开启；（9）出管。本发明改善了多晶黑硅扩散后方块电阻的均匀性。

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