一种抗PID效应的高效黑硅电池片的制备方法

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专利状态

一种抗PID效应的高效黑硅电池片的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-08-29

申请公布

2019-10-29

授权

2021-08-24

预估到期

2039-08-29

专利基础信息

申请号	CN201910808425.8	申请日	2019-08-29
申请公布号	CN110391319A	申请公布日	2019-10-29
授权公布号	CN110391319B	授权公告日	2021-08-24
分类号	H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	无锡尚德太阳能电力有限公司
申请人地址	江苏省无锡市新吴区新华路9号

专利法律状态

2021-08-24

授权

状态信息

授权
2019-11-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC（主分类）:H01L 31/18
2019-10-29

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种抗PID效应的高效黑硅电池片的制备方法，属于黑硅电池技术领域。首先通过常规工艺进行黑硅制绒、扩散，随后将酸刻蚀去除PSG后的硅片放入到扩散炉中进行预钝化处理，最后进行PECVD镀膜和丝网印刷，得到抗PID效应的高效黑硅电池片。本发明通过预钝化工艺在黑硅表面制备致密SiO2，保证黑硅复杂绒面结构表面均已沉积SiO2薄膜；PECVD工序中通过调整SiH4流量实现降低SINx薄膜折射率，提高SiNx的减反效果尤其是短波段的光吸收，发挥出黑硅电池在短波段高量子效率的优势。

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