应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺

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专利状态

应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺

有效

专利申请进度

申请

2019-10-30

申请公布

2020-02-04

授权

2022-07-01

预估到期

2039-10-30

专利基础信息

申请号	CN201911041214.2	申请日	2019-10-30
申请公布号	CN110752273A	申请公布日	2020-02-04
授权公布号	CN110752273B	授权公告日	2022-07-01
分类号	H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	无锡尚德太阳能电力有限公司
申请人地址	江苏省无锡市新吴区新华路9号

专利法律状态

2022-07-01

授权

状态信息

授权
2020-02-04

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺，它包括以下步骤：提供太阳能原始硅片、对原始硅片进行制绒、酸洗、水洗和吹干处理、硅片进行磷扩散处理、去除硅片背面以及侧面的磷硅玻璃和PN结、硅片的背面和侧面进行碱抛刻蚀、硅片的正面进行PN结推进、在硅片的正面镀两层氮化硅膜、在硅片的背面镀两层氮氧化硅膜和两层氮化硅膜、在硅片的背面开窗、对硅片进行丝网印刷。本发明的工艺在硅片的背面镀两层氮氧化硅膜和两层氮化硅膜，因为氮化硅膜有一定的反射效果，将透过氮化硅膜到达背面的光反射到氮化硅膜内，二次吸收，降低了电池近红外光寄生吸收引起的电流下降。

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