一种固态硬盘及闪存芯片的充放电控制方法

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专利状态

一种固态硬盘及闪存芯片的充放电控制方法

有效

专利申请进度

申请

2012-11-23

申请公布

2013-04-03

授权

2015-11-25

预估到期

2032-11-23

专利基础信息

申请号	CN201210480708.2	申请日	2012-11-23
申请公布号	CN103019616A	申请公布日	2013-04-03
授权公布号	CN103019616B	授权公告日	2015-11-25
分类号	G06F3/06
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	记忆科技（深圳）有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头东南工贸大厦5楼

专利法律状态

2015-11-25

授权

状态信息

授权
2013-05-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):G06F 3/06申请日:20121123
2013-04-03

公布

状态信息

公开

摘要

本发明适用于存储技术领域，提供了一种固态硬盘及闪存芯片充放电控制方法，该方法包括：将同一物理页映射至相互耦合的两个逻辑页，其中一个逻辑页由物理页中的最低有效位映射组成，另一逻辑页由物理页中的最高有效位映射组成；将写入数据进行缓存，并将缓存中与两个相互耦合的逻辑页对应的数据根据物理页与相互耦合的两个逻辑页的映射关系合并为一份与物理页对应的数据；根据合并后的数据对物理页的多层存储单元进行充放电控制，使多层存储单元的电压状态表示为合并后的数据的数值。借此，本发明能够避免对多层存储单元进行重复的充放电，减少了充放电次数及闪存芯片的磨损，提高了闪存芯片的使用寿命。

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