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专利状态
基于多层闪存单元的存储装置及存储方法
有效
专利申请进度
申请
2012-10-30
申请公布
2013-03-13
授权
2016-06-01
预估到期
2032-10-30
专利基础信息
申请号
CN201210423934.7
申请日
2012-10-30
申请公布号
CN102968389A
申请公布日
2013-03-13
授权公布号
CN102968389B
授权公告日
2016-06-01
分类号
G06F12/0811;G06F12/0871
分类
计算;推算;计数;
申请人名称
记忆科技(深圳)有限公司
申请人地址
广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头东南工贸大厦5楼
专利法律状态
2016-06-01
授权
状态信息
授权
2013-04-10
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):G06F 12/08申请日:20121030
2013-03-13
公布
状态信息
公开
摘要
本发明适用于存储技术领域,提供了一种基于多层闪存单元的存储装置,包括闪存控制器以及由多层闪存单元组成的存储区,所述存储区包括第一逻辑分区和第二逻辑分区,所述第一逻辑分区用于存储数据,所述闪存控制器和所述第一逻辑分区进行数据传输时,所述第二逻辑分区作所述闪存控制器和第一逻辑分区之间的高速缓冲存储器。本发明还相应的提供一种通过上述装置实现的存储方法。借此,本发明可以有效的提高多层闪存单元存储装置的存储速度。
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