一种NFC物理层的数据传输层的布局结构

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专利状态

一种NFC物理层的数据传输层的布局结构

有效

专利申请进度

申请

2017-06-28

授权

2018-09-07

预估到期

2027-06-28

专利基础信息

申请号	CN201720763860.X	申请日	2017-06-28
授权公布号	CN207833510U	授权公告日	2018-09-07
分类号	G06F17/50;H01L27/02
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	记忆科技（深圳）有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区蛇口街道蛇口后海大道东角头厂房D14/F、D24/F、D15/F

专利法律状态

2018-09-07

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种NFC物理层的数据传输层的布局结构,其特征在于将与FLASH读写数据相关引脚进行分组，以组为单位均匀分布在版图一侧，其他引脚分布在版图上方，FLASH读写数据相关的引脚的第一级扇入/扇出标准逻辑单元贴近相应引脚放置；写数据延时链、控制延时链以及读数据延时链从下到上依次排布在版图左下角,读延时链位置与读数据相关的引脚平行；写数据延时链的输出接一对反相器或者两个缓冲器作为中继,分别设置在写数据延时链附近和版图中间靠近写数据引脚的位置。有效的减少skew的差值以及时序违规,优化转换时间和拥塞问题，进而提高PHY的稳定性，优化芯片的性能。

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