• 热门行业
  • 装修建材
  • 家居生活
  • 餐饮食品
  • 母婴教育
  • 电脑办公
  • 服装首饰
  • 汽车工具
  • 家电数码
  • 机械化工
  • 休闲美容
返回上一页
专利状态
一种恢复Nand Flash错误数据的方法
有效
专利申请进度
申请
2016-07-06
申请公布
2016-12-07
授权
2019-07-09
预估到期
2036-07-06
专利基础信息
申请号 CN201610527846.X 申请日 2016-07-06
申请公布号 CN106205720A 申请公布日 2016-12-07
授权公布号 CN106205720B 授权公告日 2019-07-09
分类号 G11C16/34
分类 信息存储;
申请人名称 记忆科技(深圳)有限公司
申请人地址 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F
专利法律状态
  • 2019-07-09
    授权
    状态信息
    授权
  • 2017-01-04
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效IPC(主分类):G11C 16/34申请日:20160706
  • 2016-12-07
    公布
    状态信息
    公开
摘要
本发明公开了一种恢复Nand Flash错误数据的方法,其特征在于通过扫描不同相邻单元分布模式下各个存储单元的电压分布,将具有相同或近似电压分布的归类为同一类别的同邻态,对多个类别的同邻态分别采用扫描各自的电压分布,并根据获取的电压分布选定各自最佳判断电压值,获得同邻态的最佳判断电压;通过分析待恢复存储单元的相邻存储单元的电压分布,判断属于哪个类别同邻态,采用所在同邻态的存储单元的最佳判断电压读取该存储单元数据,实现错误数据恢复。通过将存储单元分类为不同的同邻态,并基于不同同邻态的最佳判断电压分别读取其数据,然后将各自数据合并得到整体存储数据。显然基于各自同邻态优化后的判断电压所读取数据的正确性都会优于常规方法,整合后的数据的正确性将得到明显改善。