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专利状态
实现电压拉偏的Flash自动化筛选系统及筛选方法
有效
专利申请进度
申请
2018-06-05
申请公布
2019-12-13
授权
2021-03-05
预估到期
2038-06-05
专利基础信息
申请号
CN201810569608.4
申请日
2018-06-05
申请公布号
CN110570893A
申请公布日
2019-12-13
授权公布号
CN110570893B
授权公告日
2021-03-05
分类号
G11C16/30;G11C29/56
分类
信息存储;
申请人名称
记忆科技(深圳)有限公司
申请人地址
广东省深圳市南山区蛇口街道蛇口后海大道东角头厂房D14/F、D24/F、D15/F
专利法律状态
2021-03-05
授权
状态信息
授权
2020-01-07
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效
2019-12-13
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种实现电压拉偏的Flash自动化筛选系统及筛选方法,包括发出老化命令和电压值参数的上位机,及与所述上位连接的控制芯片,以及与所述控制芯片连接的SSD主控,所述SSD主控上连接有用于控制电压拉偏的电压拉偏模块。本发明的有益效果是:本方案采用“上位机——MCU控制板——SSD主控——Flash颗粒”的架构,对Flash颗粒进行批量老化测试。通过上位机软件设置Flash颗粒拉偏电压参数,通过CAN及串口通信将带参数的命令发送给SSD控制芯片,再由SSD主控在对Flash颗粒做擦写读的同时,通过电压拉偏模块改变Flash颗粒供电电压,实现带电压拉偏测试的Flash颗粒自动筛选,电压拉偏功能可与Flash颗粒老化测试同步进行,无需单独控制。
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