一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法

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专利状态

一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2012-02-01

申请公布

2012-07-04

授权

1970-01-01

预估到期

2032-02-01

专利基础信息

申请号	CN201210022454.X	申请日	2012-02-01
申请公布号	CN102531392A	申请公布日	2012-07-04
授权公布号	CN102531392B	授权公告日	1970-01-01
分类号	C03C10/00;C03B32/02
分类	玻璃；矿棉或渣棉;
申请人名称	云南云天化股份有限公司
申请人地址	重庆市长寿区经济技术开发区齐心大道22号

专利法律状态

2016-11-09

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):C03C 10/00；登记生效日:20161021；变更事项:专利权人；变更前权利人:云南云天化股份有限公司；变更后权利人:重庆云天化瀚恩新材料开发有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:657800 云南省昭通市水富县向家坝镇；变更后权利人:401220 重庆市长寿区经济技术开发区齐心大道22号；变更事项:专利权人；变更后权利人:云南云天化股份有限公司
2014-09-03

发明专利权授予

状态信息

授权
2012-09-05

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C03C 10/00；申请日:20120201
2012-07-04

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，该材料由以下重量比的成分组成：60～85％的硼硅酸盐玻璃；15～40％的碳化硅。碳化硅陶瓷具有抗氧化性强、耐磨性能好、热稳定性好、高温强度大、热膨胀系数小、热导率高以及抗热震耐化学腐蚀等优良特性。与现有技术相比，本发明通过在硼硅酸盐玻璃中加入高热导率的SiC材料，既提高了LTCC基板材料热导率，又实现了SiC材料的低温致密烧结，并且适用于大规模工业化生产。实验结果表明，本发明制备的低温共烧陶瓷材料的热膨胀系数为3.9×10^-6K^-1，介电常数为5.2(1MHz)，热导率为30W/mK。

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