一种基于并行使用的双片NANDFLASH坏块管理方法

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专利状态

一种基于并行使用的双片NANDFLASH坏块管理方法

有效

专利申请进度

申请

2020-02-26

申请公布

2021-08-27

授权

2023-09-22

预估到期

2040-02-26

专利基础信息

申请号	CN202010118410.1	申请日	2020-02-26
申请公布号	CN113311989A	申请公布日	2021-08-27
授权公布号	CN113311989B	授权公告日	2023-09-22
分类号	G06F3/06;G06F12/02;G06F12/0891
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	北京君正集成电路股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区西北旺东路10号院东区14号楼一层A101-A113

专利法律状态

2023-09-22

授权

状态信息

授权
2021-09-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G06F3/06；申请日:20200226
2021-08-27

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种基于并行使用的双片NAND FLASH坏块管理方法，包括以下步骤：S1，在启动过程中，分别对两片NAND FLASH的所有物理擦除块进行扫描，对应构建两个链表，分别用表a和表b表示，每个链表对象至少包含“块序列号”信息，根据坏块信息创建BBT；S2，建立逻辑擦除块和物理擦除块之间的关联，创建逻辑块关联表，用表p表示，表中每个节点用来描述逻辑擦除块分别对应的两个NAND FLASH的物理擦除块的块序列号；S3，如果在使用过程中产生坏块，BBT标记坏块完成后，根据逻辑擦除块的块序列号，更新表a或表b中对应的有效标志为无效，然后去尾节点倒序遍历坏块所在的NAND FLASH中纯净的块将表p中对应的坏块替换。通过本发明使并行的双片NAND FLASH的存储空间利用率达最大化。

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