GaN基LED发光结构及其制作方法

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专利状态

GaN基LED发光结构及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2018-03-01

申请公布

2018-08-31

授权

2020-04-03

预估到期

2038-03-01

专利基础信息

申请号	CN201810171338.1	申请日	2018-03-01
申请公布号	CN108470806A	申请公布日	2018-08-31
授权公布号	CN108470806B	授权公告日	2020-04-03
分类号	H01L33/06
分类	基本电气元件;
申请人名称	澳洋集团有限公司
申请人地址	江苏省苏州市张家港市杨舍镇塘市镇中路澳洋集团有限公司

专利法律状态

2020-04-03

授权

状态信息

授权
2018-09-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/06
2018-08-31

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种GaN基LED发光结构，包括：衬底，以及外延层，所述外延层形成于所述衬底上，包括依次堆叠的：n型掺杂的GaN层；第一InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为4％；第二InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为8％；第三InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为12％；第四InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为14％；第五InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为16％；p型掺杂的GaN层。本申请公开了一种GaN基LED发光结构的制作方法。本发明中通过In组分梯度渐变的量子阱结构，可以有效地减小量子阱有源区的极化效应，使得电子和空穴的波函数重叠率提高，能够有效提高发光效率。

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