栅控碳纳米阴极场发射X射线管

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专利状态

栅控碳纳米阴极场发射X射线管

有效

专利申请进度

申请

2009-03-26

申请公布

2009-09-02

授权

2011-04-13

预估到期

2029-03-26

专利基础信息

申请号	CN200910080861.4	申请日	2009-03-26
申请公布号	CN101521135A	申请公布日	2009-09-02
授权公布号	CN101521135B	授权公告日	2011-04-13
分类号	H01J35/00;H01J35/04;H01J35/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	北京中盾安民分析技术有限公司
申请人地址	北京市海淀区首都体育馆南路1号

专利法律状态

2011-04-13

授权

状态信息

授权
2009-10-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2009-09-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种栅控碳纳米阴极场发射X射线管，包括散热器、阳极组件、真空容器、阴极组件和接线管，其中，所述阳极组件为包括过渡环、阳极封接件、阳极靶组件、出射窗和阳极帽；所述阴极组件包括阴极罩、固定螺钉、芯柱帽、芯柱、阴极封接件、第一绝缘环、阴极托、碳纳米阴极、屏蔽环、第二绝缘环及栅极；其利用碳纳米阴极具有良好场发射的特点，将此碳纳米阴极作为阴极组件的一部分封接在真空容器内，且通过栅极电场将电子束从碳纳米阴极表面拉出，拉出的电子束在阳极高压电场的激励下以及阴极罩的聚焦下，高速轰击阳极靶。本发明优点在于且有高电压、高穿透的特点，可在高电压下稳定持续的工作，可实现一定焦斑及束流大小的电子束输出。

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