一种高剩磁钕铁硼磁体及其制备方法和应用

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专利状态

一种高剩磁钕铁硼磁体及其制备方法和应用

有效

专利申请进度

申请

2021-09-22

申请公布

2022-01-11

授权

2022-11-29

预估到期

2041-09-22

专利基础信息

申请号	CN202111107088.3	申请日	2021-09-22
申请公布号	CN113921218A	申请公布日	2022-01-11
授权公布号	CN113921218B	授权公告日	2022-11-29
分类号	H01F1/057;H01F41/02;H02K1/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	烟台正海磁性材料股份有限公司
申请人地址	山东省烟台市开发区汕头大街9号

专利法律状态

2022-11-29

授权

状态信息

授权
2022-01-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种高剩磁钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体具有以R‑T‑B型化合物为主要结构的晶粒，以及晶界相。本发明的钕铁硼磁体通过调整B、Cu、Ga、RE、Ti等元素的比例关系，可以获得较高的主相晶粒体积比，有效抑制晶界相中富B相的比例，使得磁体具备较高的Br，兼具优良的Hcj和方形度性能。

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