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专利状态
一种钕铁硼磁体及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2012-08-20
申请公布
2012-11-21
授权
2015-07-15
预估到期
2032-08-20
专利基础信息
申请号
CN201210296616.9
申请日
2012-08-20
申请公布号
CN102789872A
申请公布日
2012-11-21
授权公布号
CN102789872B
授权公告日
2015-07-15
分类号
H01F7/02;H01F1/057;H01F41/02;C23C8/26
分类
基本电气元件;
申请人名称
烟台正海磁性材料股份有限公司
申请人地址
山东省烟台市经济技术开发区珠江路22号
专利法律状态
2015-07-15
授权
状态信息
授权
2013-03-27
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):H01F 7/02申请日:20120820
2012-11-21
公布
状态信息
公布
摘要
本发明涉及一种钕铁硼磁体及其制备方法,其是在钕铁硼磁体的表层覆盖一层氮化层;所述氮化层中的氮含量比钕铁硼磁体内部的氮含量高。本发明的目的是不提高磁体内部氮含量,但也能获得较好的耐腐蚀性,同时磁体的脆性不变差,不易断裂。本发明通过在磁体表面形成一种氮含量较高的氮化层,使其既具有良好的耐腐蚀特性,同时内部的脆性不会改变。氮化层厚度优选在10-100微米的范围,磁体基体的性能几乎不受影响,也不会造成磁体内部的氮含量升高。渗氮气氛中加入水蒸气和氨气,可以保持磁体表面的光洁度。
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