光电二极管的击穿电压测试

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专利状态

光电二极管的击穿电压测试

有效

专利申请进度

申请

2019-08-26

申请公布

2021-07-30

授权

2023-01-20

预估到期

2039-08-26

专利基础信息

申请号	CN202110388922.4	申请日	2019-08-26
申请公布号	CN113189466A	申请公布日	2021-07-30
授权公布号	CN113189466B	授权公告日	2023-01-20
分类号	G01R31/26
分类	测量；测试;
申请人名称	上海禾赛科技有限公司
申请人地址	上海市嘉定区新徕路468号园区二号楼

专利法律状态

2023-01-20

授权

状态信息

授权
2021-07-30

公布

状态信息

公布

摘要

本公开涉及一种能够测试光电二极管的击穿电压的模拟前端电路、一种测试光电二极管的击穿电压的方法以及一种用于激光雷达的接收电路。根据本公开，在控制器的控制下，通过电压型DAC调节光电二极管的阳极处的电压，和/或通过调节光电二极管的阴极处的供电电压，来独立地调节各个通道的光电二极管的反向偏置电压，从而可以完成对光电二极管的击穿电压的测试，并且能够将光电二极管调节到最佳工作电压。

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