射频识别标签芯片的存储器读取电路

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专利状态

射频识别标签芯片的存储器读取电路

有效

专利申请进度

申请

2012-09-27

申请公布

2014-04-02

授权

2017-07-18

预估到期

2032-09-27

专利基础信息

申请号	CN201210389989.0	申请日	2012-09-27
申请公布号	CN103700403A	申请公布日	2014-04-02
授权公布号	CN103700403B	授权公告日	2017-07-18
分类号	G11C16/10;G11C16/26
分类	信息存储;
申请人名称	江苏稻源科技集团有限公司
申请人地址	江苏省扬州市文昌东路88号

专利法律状态

2020-08-11

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):G11C16/10；变更事项:专利权人；变更前:扬州稻源微电子有限公司；变更后:江苏稻源科技集团有限公司；变更事项:地址；变更前:211400 江苏省仪征市经济开发区闽泰大道9号A座4楼；变更后:211400 江苏省扬州市文昌东路88号
2017-07-18

授权

状态信息

授权
2014-10-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C16/10；申请日:20120927
2014-04-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种射频识别标签芯片的存储器读取电路，属于集成电路(IC)设计技术领域。读取电路包括：高压隔离MOS晶体管，并且还包括：用于控制所述高压隔离MOS晶体管的导通状态的栅极控制电路模块、和电容自举电路模块，电容自举电路模块用于抬升所述栅极控制电路模块的输出电压，以使高压隔离MOS晶体管在读操作时导通、并且使所述高压隔离MOS晶体管传输至所述存储器的电压大于或等于偏置在该读取电路上的所述读电压。该存储器读取电路在诸如RFID标签芯片的正常电源电压的低电压条件下实现读操作，读操作准确、灵敏，并且电路结构简单、读操作功耗小。

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