一种高瞬态响应的无片外电容LDO

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专利状态

一种高瞬态响应的无片外电容LDO

有效

专利申请进度

申请

2021-12-23

申请公布

2022-04-05

授权

2023-05-05

预估到期

2041-12-23

专利基础信息

申请号	CN202111608562.0	申请日	2021-12-23
申请公布号	CN114281142A	申请公布日	2022-04-05
授权公布号	CN114281142B	授权公告日	2023-05-05
分类号	G05F1/56
分类	控制；调节;
申请人名称	江苏稻源科技集团有限公司
申请人地址	江苏省扬州市文昌东路88号

专利法律状态

2023-05-05

授权

状态信息

授权
2022-04-05

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种高瞬态响应的无片外电容LDO，在现有LDO基础上，将反馈电阻网络产生的反馈电压通过额外的一条反馈支路引回到LDO的基准电路，这样基准电路所产生的基准电流大小就可以通过反馈电压的大小来调整，该基准电流作为输入误差放大器的尾电流管的尾电流，通过提高尾电流来提高误差放大器的摆率，提高了LDO的瞬态特性，从而减小了LDO的过冲电压和恢复时间。与通过增加数字控制环路、摆率增强电路来提高LDO的瞬态响应的方式相比，本发明提供的方法切实有效，电路结构简单易于实现，且静态功耗低，没有往误差放大器电路中引入额外的极、零点，不影响系统本身的稳定性。

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