反熔丝单元及反熔丝单次可编程存储器

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专利状态

反熔丝单元及反熔丝单次可编程存储器

有效

专利申请进度

申请

2020-08-05

授权

2021-06-22

预估到期

2030-08-05

专利基础信息

申请号	CN202021604936.2	申请日	2020-08-05
授权公布号	CN213519954U	授权公告日	2021-06-22
分类号	H01L27/112;G11C17/16
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

专利法律状态

2021-06-22

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种反熔丝单元及反熔丝单次可编程存储器，所述反熔丝单元包括：有源区、位于所述有源区外围的隔离区以及覆盖所述有源区的栅极；所述反熔丝单元的栅极与所述有源区形成重合区域；其中，所述隔离区与所述重合区域的接触边界存在角。本实用新型通过反熔丝栅极与有源区形成重合区域，并将重合区域与隔离区接触边界形成角，减少器件面积，提高器件集成度。

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