用于设计存储器件的退化技术

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专利状态

用于设计存储器件的退化技术

有效

专利申请进度

申请

2007-08-20

申请公布

2008-03-05

授权

2012-06-06

预估到期

2027-08-20

专利基础信息

申请号	CN200710142645.9	申请日	2007-08-20
申请公布号	CN101136251A	申请公布日	2008-03-05
授权公布号	CN101136251B	授权公告日	2012-06-06
分类号	G11C29/00
分类	信息存储;
申请人名称	安谋科技（中国）有限公司
申请人地址	英国剑桥

专利法律状态

2018-06-15

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):G11C 29/00；专利号:ZL2007101426459；登记生效日:20180529；变更事项:专利权人；变更前权利人:ARM有限公司；变更后权利人:ARM有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:英国剑桥郡；变更后权利人:英国剑桥；变更事项:共同专利权人；变更前权利人:；变更后权利人:安谋科技(中国)有限公司
2012-06-06

发明专利权授予

状态信息

授权
2008-11-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2008-03-05

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及用于设计存储器件的退化技术。提供了用于由分组的存储器结构产生存储器件的实例的系统、方法和计算机程序产品。该方法包括接收表示存储器件的多个特性的输入参数的步骤，所述特性至少包括用于存储器件的行数R。之后，对该分组的存储器结构实施退化过程，以产生具有那些特性的存储器件的实例。该退化过程包括以下步骤：(i)为所述实例选择存储器组数B，其中所述数目是小于或等于由该分组的存储器结构指定的最大存储器组数的整数，并且B不限于是R的因数；(ii)在所选的所述存储器组当中划分行数R，以使在每一个存储器组中，于该存储器组中的行数是小于或等于由该分组的存储器结构指定的每一存储器组的最大行数的整数。

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