具有耐摩擦区域电路图形微波薄膜电路制作方法及其电路

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专利状态

具有耐摩擦区域电路图形微波薄膜电路制作方法及其电路

有效

专利申请进度

申请

2020-07-31

申请公布

2020-11-06

授权

2022-01-28

预估到期

2040-07-31

专利基础信息

申请号	CN202010760870.4	申请日	2020-07-31
申请公布号	CN111900092A	申请公布日	2020-11-06
授权公布号	CN111900092B	授权公告日	2022-01-28
分类号	H01L21/48;H01L21/70;H01L23/498
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电科思仪科技股份有限公司
申请人地址	山东省青岛市黄岛区香江路98号

专利法律状态

2022-01-28

授权

状态信息

授权
2020-11-06

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路制作方法及其电路，采用低温共烧陶瓷技术，首先完成电路上耐摩擦区域与陶瓷电路基板的共烧，然后采用传统薄膜电路制作技术，经过基片清洗、溅射或蒸发、光刻蚀、电镀等工序，完成非耐摩擦区域的制作，在满足电路特定区域耐磨性能的同时，保证电路的线条精度。本发明与现有最好技术相比较，可满足电路特定区域耐磨性能要求，同时又能够保证电路的线条精度，并且具有稳定性好、性价比高的优点。

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