基于IGBT并联均流的主回路拓扑结构

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专利状态

基于IGBT并联均流的主回路拓扑结构

有效

专利申请进度

申请

2018-12-29

申请公布

2019-03-26

授权

2020-10-16

预估到期

2038-12-29

专利基础信息

申请号	CN201811632212.6	申请日	2018-12-29
申请公布号	CN109525126A	申请公布日	2019-03-26
授权公布号	CN109525126B	授权公告日	2020-10-16
分类号	H02M7/00
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	上海大郡动力控制技术有限公司
申请人地址	上海市闵行区浦江镇新骏环路188号1号楼

专利法律状态

2020-10-16

授权

状态信息

授权
2019-04-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H02M7/00；专利申请号:2018116322126；申请日:20181229
2019-03-26

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种基于IGBT并联均流的主回路拓扑结构，本拓扑结构包括大功率主薄膜电容模块、直流母排、三相IGBT并联半桥组件、三相输出铜排，大功率主薄膜电容模块连接直流母排，三相IGBT并联半桥组件输入端连接直流母排、输出端连接三相输出铜排，三相输出铜排连接电机三相端子，本拓扑结构还包括三个辅助薄膜电容，直流母排叠层布置，三个辅助薄膜电容布置于三相IGBT并联半桥组件输出侧并且分别连接直流母排，三相IGBT并联半桥组件布置于大功率主薄膜电容模块与三个辅助薄膜电容之间。本结构克服由于主回路杂散电感和阻抗的不均衡对并联IGBT均流的影响，有效提高IGBT并联的均流特性，提升并联IGBT的使用寿命。

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